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ISZ230N10NM6ATMA1-VB
N沟道；电压：100V；电流：50A；导通电阻：10.5(mΩ)
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- 描述
- 特性：175℃结温。 SGT技术功率MOSFET。 材料分类：N沟道MOSFET
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ISZ230N10NM6ATMA1-VB
- 商品编号
- C50387033
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
-结温175°C-SGT技术功率MOSFET-符合RoHS标准-N沟道MOSFET
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