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PCB/SMT 工业品

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTGS1135PT1G-VB

P沟道；电压：-60V；电流：-3.5A；导通电阻：75(mΩ)

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描述: 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。沟槽功率 MOSFET。应用：负载开关
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NTGS1135PT1G-VB
商品编号: C50387034
商品封装: TSOP-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.052克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	6.5A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V；85mΩ@4.5V
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V；5.1nC@4.5V

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