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FDC6302P-VB
P+P沟道；电压：-20V；电流：-4A；导通电阻：75(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDC6302P-VB
- 商品编号
- C50387001
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-便携式应用的负载开关-便携式设备的电池开关-计算机-总线开关-负载开关
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