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FDN5618P-B8-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-5.2A；导通电阻：50(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDN5618P-B8-VB
- 商品编号
- C50387003
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 有无铅版本
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