DMP6350S-13-VB
P沟道;电压:-60V;电流:-5.2A;导通电阻:50(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:隔离封装。 高压隔离 = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)。 漏极到引脚爬电距离 = 4.8 mm。 P沟道。 175℃工作温度。 动态dV/dt额定值。 低热阻。 无铅可用
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMP6350S-13-VB
- 商品编号
- C50386997
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻,并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 提供无铅(Pb)版本
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能-同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- FCMT125N65S3-VB
- FCMT180N65S3-VB
- FCMT199N60-VB
- FDC6302P-VB
- FDC6304P-VB
- FDN5618P-B8-VB
- FDS4559-F085-VB
- HAT3008RJ-VB
- IPL60R065C7AUMA1-VB
- IPL60R075CFD7AUMA1-VB
- IPL60R095CFD7AUMA1-VB
- IPL60R104C7AUMA1-VB
- IPL65R065CFD7AUMA1-VB
- IPL65R070C7AUMA1-VB
- IPL65R099C7-VB
- IPL65R099C7AUMA1-VB
- IPL65R115CFD7AUMA1-VB
- IPL65R130C7AUMA1-VB
- IPL65R165CFDAUMA1-VB
- IPL65R165CFDAUMA2-VB
- IPW60R099C7XKSA1-VB
