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DMP6350S-13-VB实物图
  • DMP6350S-13-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP6350S-13-VB

P沟道;电压:-60V;电流:-5.2A;导通电阻:50(mΩ)

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描述
特性:隔离封装。 高压隔离 = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)。 漏极到引脚爬电距离 = 4.8 mm。 P沟道。 175℃工作温度。 动态dV/dt额定值。 低热阻。 无铅可用
商品型号
DMP6350S-13-VB
商品编号
C50386997
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)27W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)270pF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)170pF

商品概述

UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻,并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

  • 隔离封装
  • 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
  • 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
  • P沟道
  • 工作温度达175 °C
  • 动态dV/dt额定值
  • 低热阻
  • 提供无铅(Pb)版本

应用领域

-DC-DC转换器-电源管理功能-同步整流应用

数据手册PDF