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DO4266
N沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N管/60V/10A/18mΩ/(典型15.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4266
- 商品编号
- C50386333
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141pF |
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 10 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 18 m Ω(典型值:15.5 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。
- MSL3
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