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DO4807
双P沟道MOSFET，低栅极电荷，先进沟槽技术
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- 描述
- P+P管/-30V/-5.1A/55mΩ/(典型值43mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4807
- 商品编号
- C50386328
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 33V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V；62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET 采用平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -5.1 A,VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 55 m Ω(典型值:43 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。