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DOD85N02
N沟道MOSFET，先进沟槽技术，低栅极电荷
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- 描述
- N管/20V/85A/3.5mΩ/(典型2.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD85N02
- 商品编号
- C50386325
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 85 A,VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 3.5 m Ω (典型值:2.8 m Ω )
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 封装散热性能出色
- 湿敏等级3级
应用领域
- 便携式设备负载开关
- 直流-直流转换器