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DON160N04T
N沟道MOSFET采用SGT技术提供低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- SGT工艺/N管/40V/160A/1.6mΩ/(典型1.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON160N04T
- 商品编号
- C50386321
- 商品封装
- DFN5x6-8-Clip
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.654nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 160 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 1.6 mΩ(典型值:1.3 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度SGT技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)