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MSETA7014S2G

集成高边侧功率MOSFET的过压保护芯片

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描述
是一款集成高边侧功率MOSFET的过压保护芯片,具有可调的过压保护(OVP)阈值电压功能。当检测到输入电压超过过压保护阈值电压时,关闭高边侧场效应管以保护后极负载。最高耐压可达36V,当FB引脚悬空或接到地时,内部默认过电压保护阈值为6.1V。过电压阈值(OVLO)也可以通过设置外部电阻R1和R2的比值在4.0V~15V之间进行调节。同时芯片还具有内部过温保护 (OTP) 功能,它可以监控芯片温度以保护芯片。采用环保无卤的SOT-23-6封装。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
MSETA7014S2G
商品编号
C49375255
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型高侧开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
工作电压4V~36V
属性参数值
最大连续电流3A
导通电阻35mΩ
功能特性过压保护;过温保护;输出放电功能;软启动;欠压锁定
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

MSETA7014S2G 是一款集成高边侧功率 MOSFET 的过压保护芯片,具备可调的过压保护阈值电压功能。当检测到输入电压超过设定阈值时,芯片会关闭高边侧场效应管以保护后级负载。该器件最高耐压可达 36V。当 FB 引脚悬空或接地时,内部默认过压保护阈值为 6.1V。过压锁定阈值也可通过外部电阻 R1 和 R2 的比值在 4.0V~15V 范围内进行调节。芯片还集成了过温保护功能,用于监控芯片温度以确保安全。该产品采用环保无卤的 SOT-23-6 封装。

商品特性

  • 集成 35mΩ(典型值@ 5V/1A)N 型场效应管
  • 最大持续输出电流 3.0A
  • 最大输入电压 36V
  • 集成固定 6.1V(±3%)过压锁定功能(FB 引脚悬空或接地)
  • 过压保护阈值电压可调范围:4.0V~15V(±3%)(通过 FB 引脚外接电阻 R1 和 R2 调节)
  • 集成过温保护功能
  • 人体模型静电保护:>±2KV(JESD22-A114)
  • SOT-23-6L 封装

应用领域

  • 便携式电子设备
  • 个人多媒体系统
  • 移动电话
  • 平板电脑
  • 电子烟

数据手册PDF