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CJK3400AH
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现极低的导通电阻。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJK3400AH
- 商品编号
- C504110
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，适用于各种电源和电机控制设备。
商品特性
- 先进的TrenchMOS技术，提供低漏源导通电阻（RDSon）和低栅极电荷
- 逻辑电平栅极操作
- 雪崩额定，100%测试
- LFPAK在Power SO8封装中实现了最大功率密度
应用领域
- 电源设备中的同步整流
- 输出电压（Vout）< 10 V的充电器和适配器
- 快速充电和USB-PD应用
- 电池供电的电机控制
- LED照明和电视背光