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CJK2009
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽MOSFET工艺技术。 超低导通电阻和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJK2009
- 商品编号
- C504107
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 582pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 670pF |
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