温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G200N06TH
N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：55A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：11mΩ@10V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G200N06TH
- 商品编号
- C49109534
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
G200N06TH采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压VDS:60V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):55A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):14 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器