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G100P04K
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-55A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：8.5mΩ@10V 12.5mΩ@4.5V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G100P04K
- 商品编号
- C49109595
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V；12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 292pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品概述
G100P04K采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -40V
- ID(VGS = -10 V时) -55A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时) < 10 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时) < 15 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器