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GT007N04TLH
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：245A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：0.91mΩ@10V @@封装：TOLL-8L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT007N04TLH
- 商品编号
- C49109613
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.922克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 345A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.91mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 159W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT007N04TLH采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):40V
- 漏极电流(ID,VGS = 10V时):345A
- 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 1.1mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器