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GT007N04TLH
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：245A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：0.91mΩ@10V @@封装：TOLL-8L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT007N04TLH
- 商品编号
- C49109613
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.922克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 345A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.91mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 159W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |