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GT020N04M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：140A@@阈值电压(Vgs(th))：2.4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.9mΩ@10V 2.5mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT020N04M
- 商品编号
- C49109617
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.708克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.465nF |
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