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GT880P15KB
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-26A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：95mΩ@10V 110mΩ@4.5V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT880P15KB
- 商品编号
- C49109632
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V；95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
GT880P15KB采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- Vds:-150V
- ID(VGS = -10 V 时):-26A
- RDS(ON)(VGS = -10 V 时):< 120mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5 V 时):< 140mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器