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GT100N12D5M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：120V@@连续漏极电流(Id)：70A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7mΩ@10V 8mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x6)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT100N12D5M
- 商品编号
- C49109626
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF |
商品概述
GT100N12D5M采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:120V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):70A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):8.5mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):10mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器