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GT180P10M
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-100V@@连续漏极电流(Id)：-70A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：16mΩ@4.5V 18mΩ@2.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT180P10M
- 商品编号
- C49109629
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个800个/圆盘
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