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GT030N08M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：80V@@连续漏极电流(Id)：155A@@阈值电压(Vgs(th))：3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.6mΩ@10V 3.0mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT030N08M
- 商品编号
- C49109620
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品概述
GT030N08M采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:80V
- ID(VGS=10V 时):155A
- RDS(ON)(VGS=10V 时):3.1mΩ
- RDS(ON)(VGS=4.5V 时):3.7mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器