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GT025N06M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：170A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.15mΩ@10V 2.7mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT025N06M
- 商品编号
- C49109619
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |