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G110N06M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：110A@@阈值电压(Vgs(th))：3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5.1mΩ@10V 5.9mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G110N06M
- 商品编号
- C49109597
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.706克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@4.5V；5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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