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G110N06M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：110A@@阈值电压(Vgs(th))：3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5.1mΩ@10V 5.9mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G110N06M
- 商品编号
- C49109597
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.706克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@4.5V；5.1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
G110N06M采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种场合。
商品特性
- 漏源极电压VDS:60V
- 漏极电流ID(栅源极电压VGS = 10 V时):110A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源极电压VGS = 10V时):< 6.4mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源极电压VGS = 4.5 V时):< 7.5 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器