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G100P04KH
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-55A@@阈值电压(Vgs(th))：-4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：9.5mΩ@10V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G100P04KH
- 商品编号
- C49109596
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G100P04KH采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -40V
- ID(在 VGS = -10 V 时) -55A
- RDS(ON)(在 VGS = -10 V 时)< 12 m Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器