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G25KN06IE
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：0.3A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.8mΩ@10V 2.0mΩ@4.5V @@封装：SOT-23
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G25KN06IE
- 商品编号
- C49109608
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
G25KN06IE采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源极电压VDS:60V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):0.3A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 2.5Ω
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 3Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(人体模型HBM):2KV
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流(DC/DC)转换器