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G200N03S2
双N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N+N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：7A@@阈值电压(Vgs(th))：2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：16mΩ@10V 24mΩ@4.5V @@封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G200N03S2
- 商品编号
- C49109605
- 商品封装
- SOP-8-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V；16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
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