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G135P04D3
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-25A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：11.5mΩ@10V 14.5mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(3x3)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G135P04D3
- 商品编号
- C49109599
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V；11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 207pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
优惠活动
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(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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