温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G120N03S2
双N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N+N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：13A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：9mΩ@10V 12mΩ@4.5V @@封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G120N03S2
- 商品编号
- C49109598
- 商品封装
- SOP-8-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
G120N03S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V 时)13A
- RDS(ON)(VGS = 10 V 时)< 11 m Ω
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 14 m Ω
- 100%雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器