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G070C03D52
NAND P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：30V/-30V@@连续漏极电流(Id)：65A/-19A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V/-2.0V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7mΩ/18mΩ@10V 10mΩ/25mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x6)Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G070C03D52
- 商品编号
- C49109593
- 商品封装
- DFN-8-Dual(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W；48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V；23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF；1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 157pF；188pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF；230pF |
商品概述
G070C03D52采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- NMOS
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V时)65A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 8.5 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 12mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- VDS -30V
- ID(VGS = -10 V时)-19A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时)< 22 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 32 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器