温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GC125N65QF
N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：650V@@连续漏极电流(Id)：27A@@阈值电压(Vgs(th))：4.6V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：103mΩ@10V @@封装：TO-247
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC125N65QF
- 商品编号
- C49109586
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.342克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
GC125N65QF采用先进的超结技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和稳定的运行性能。该器件适用于工业AC-DC开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用需求。
商品特性
- 漏源电压(Vds):650V
- 漏极电流(ID,VGS = 10V时):27A
- 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 125mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 超快体二极管
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器