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GC125N65FF
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：650V@@连续漏极电流(Id)：25A@@阈值电压(Vgs(th))：4.6V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：103mΩ@10V @@封装：TO-220F
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC125N65FF
- 商品编号
- C49109585
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
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