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GT020N10Q
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：250A@@阈值电压(Vgs(th))：3.7V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.1mΩ@10V @@封装：TO-247
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT020N10Q
- 商品编号
- C49109587
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.992克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.37nF |
商品概述
GT020N10Q采用先进的沟槽技术,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用。
商品特性
- Vds:100V
- ID(VGS=10V 时):250A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时):2.5mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器