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STB15N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB15N65M5
- 商品编号
- C500931
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 308mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- ThunderFET® 技术优化了漏源导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg)、开关电荷 (Qsw) 和输出电容电荷 (Qoss) 之间的平衡
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
-DC/DC 转换器-初级侧开关-同步整流-DC/AC 和逆变器-电池保护