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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7855TRPBF

耐压:60V 电流:12A

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描述
N沟道 60V 12A
商品型号
IRF7855TRPBF
商品编号
C500522
商品封装
SO-8​
包装方式
-
商品毛重
0.118克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))9.4mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))4.9V
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)1.56nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(R_DS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低栅极至漏极电荷,降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效 COSS,简化设计
  • 全面表征雪崩电压和电流

应用领域

  • 隔离式 DC-DC 转换器桥接拓扑中的初级侧开关
  • 18 - 36V 输入隔离式 DC-DC 转换器推挽拓扑中的初级侧开关
  • 15V 输出的次级侧同步整流开关
  • 适用于 48V 非隔离同步降压 DC-DC 应用

数据手册PDF