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IRFR4105TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR4105TRPBF

1个N沟道 耐压:55V 电流:27A

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描述
N沟道 55V 27A
商品型号
IRFR4105TRPBF
商品编号
C500532
商品封装
DPAK(TO-252AA)​
包装方式
编带
商品毛重
0.395克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V,16A
属性参数值
耗散功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)700pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种极其高效的器件,可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。

商品特性

  • 超低导通电阻
  • 表面贴装(IRFR4105)
  • 直引脚(IRFU4105)
  • 快速开关
  • 全雪崩额定
  • 无铅

数据手册PDF