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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOP75N10-L

采用先进SGT技术的N沟道MOSFET

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描述
SGT工艺/N管/100V/75A/11mΩ(典型值9mΩ)
商品型号
DOP75N10-L
商品编号
C48971464
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8454克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.615nF
反向传输电容(Crss)7.8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)441pF

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(50个/管,最小起订量 5 个)
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