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DOD100N08T
N沟道 耐压:85V 电流:100A
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- 描述
- SGT工艺/N管/85V/120A/5.5mΩ(典型值4.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD100N08T
- 商品编号
- C48971468
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.0532nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON) 性能。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 85 V, ID = 120 A, RDS(ON) < 5.5 m Ω(在 VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- MSL3