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DON30P10T
采用先进SGT技术的P沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/P管/-100V/-30A/55mΩ(典型值45mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON30P10T
- 商品编号
- C48971671
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -100 V,漏极电流ID = -30 A,当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ(典型值:45 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的封装。
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)