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DO4842A
2个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- N+N管/30V/5A/25mΩ(典型值20mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4842A
- 商品编号
- C48971679
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044419克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 5 A,RDS(ON) < 25 m Ω(VGS = 10 V 时,典型值为 20 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。
- MSL3
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