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DOD65N06-H
采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/60V/65A/10mΩ(典型值7.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD65N06-H
- 商品编号
- C48971680
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS)= 60 V,漏极电流(ID)= 65 A,当栅源电压(VGS)= 10 V时,导通电阻(RDS(ON))< 10 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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