温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOPF18N65S
N沟道 耐压:650V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 超结工艺/N管/650V/18A/140mΩ(典型值120mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOPF18N65S
- 商品编号
- C48971676
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 836.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51.2pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 18 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 140 m Ω(典型值:120 m Ω)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 采用散热性能良好的优质封装