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DOPF14N65S
采用先进超结技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- 超结工艺/N管/650V/14A/290mΩ(典型值250mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOPF14N65S
- 商品编号
- C48971674
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.870429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 452.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60.3pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 130 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.5 mΩ（典型值：4.1 mΩ）
- 栅极电荷低
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性优异