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DOPF12N65S
采用先进超结技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- 超结工艺/N管/650V/11A/380mΩ(典型值330mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOPF12N65S
- 商品编号
- C48971673
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4783克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 11 A,RDS(ON) < 380 m Ω(VGS = 10 V 时,典型值为 330 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。