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DOP160N10T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/100V/160A/3.6mΩ(典型值3.1mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP160N10T
- 商品编号
- C48971466
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷条件下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 160 A,RDS(ON) < 3.6 m Ω(VGS = 10 V 时,典型值为 3.1 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的优质封装。