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DOP160N10T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/100V/160A/3.6mΩ(典型值3.1mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP160N10T
- 商品编号
- C48971466
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |