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DOD80N03T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/30V/80A/4.8mΩ(典型值4mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD80N03T
- 商品编号
- C48971467
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 80 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4.8 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装良好，散热性能佳。