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SIA447DJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸封装。 低导通电阻。 100% Rg测试。应用：智能手机、平板电脑、移动计算设备中的低电压降应用。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA447DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C499478
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.88nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 585pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 采用热性能增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 导通电阻低
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 在智能手机、平板电脑和移动计算设备中实现低压降
- 电池开关
- 电池管理
- 负载开关
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