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SIR624DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss的平衡。 100%进行Rg和UIS测试。应用：固定电信DC/DC转换器。 初级和次级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR624DP-T1-GE3
- 商品编号
- C499549
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- ThunderFET技术优化了 R\textDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关-同步整流