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SIR624DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR624DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:200V 电流:5.7A

描述
特性:ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss的平衡。 100%进行Rg和UIS测试。应用:固定电信DC/DC转换器。 初级和次级侧开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR624DP-T1-GE3
商品编号
C499549
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.136克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)5.7A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.5nC
输入电容(Ciss)1.11nF
反向传输电容(Crss)19.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • ThunderFET技术优化了 R\textDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

-固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关-同步整流

数据手册PDF