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SIR610DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:35.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR610DP-T1-RE3
- 商品编号
- C499578
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss的平衡
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关-同步整流-LED照明-电源-D类放大器
- SIHD4N80E-GE3
- SIHH180N60E-T1-GE3
- SIHP120N60E-GE3
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- VS-30CPQ060-N3
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- GI756-E3/73
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