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IRFR9024TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR9024TRPBF

1个P沟道 耐压:60V

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR9024TRPBF
商品编号
C500644
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.544克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8.8A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V,5.3A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)570pF
反向传输电容(Crss)65pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9024、SiHFR9024)-直引脚(IRFU9024、SiHFU9024)-提供卷带包装-P沟道-快速开关-符合RoHS标准-无卤

数据手册PDF