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SIR662DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:35.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 低Qg以实现高效率。应用：初级侧开关。 POL
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR662DP-T1-GE3
- 商品编号
- C500638
- 商品封装
- PowerPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.365nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.27nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 低Qg，效率高
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 初级侧开关-负载点(POL)-同步整流器-DC/DC转换器-娱乐系统-工业领域-LED背光
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