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SIS892DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 100% UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：DC/DC 初级侧开关。 电信/服务器 48V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS892DN-T1-GE3
- 商品编号
- C499528
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 611pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET，Halogen-free According to IEC 61249-2-2 Definition TrenchFET Power MOSFET。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，利用相同的封装技术，最大化芯片面积。芯片附着垫底部暴露，为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO-8的优势转化到更小的封装中，具有相同水平的热性能。其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP-8相比，可使结温降低，芯片效率提高约20%。单通道和双通道PowerPAK 1212-8与单通道和双通道PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列，1.05 mm的低高度轮廓使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- DC/DC原边开关
- 电信/服务器48 V DC/DC转换器